3CG1218A Todos los transistores

 

3CG1218A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG1218A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 45 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

3CG1218A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  lzg
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3CG1218A

2SB1218A(3CG1218A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: General amplification. :, 2SD1819A(3DG1819A) Features: High h complements the 2SD1819A(3DG1819A). FE, /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V E

 8.1. Size:256K  lzg
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3CG1218A

2SA1213(3CG1213) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier and switching applications. : , 2SC2873(3DG2873) Features: Low collector saturation voltage, High speed switching time, small flat package, Complementary to 2SC2873(3DG2873).

 9.1. Size:115K  china
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3CG1218A

3CG12 PNP A B C D E F G H I PCM TA=25 500 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 50 80 20 40 70 15 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 40 70 15 30 60 12 30 50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V

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3CG1218A

2SA1201(3CG1201) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SC2881(3DG2881) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SC2881(3DG2881). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)

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History: 2SC3152K | GD180C | MP2222AR | BD355C | 2SC2433 | 2SD1695 | 2SC5828

 

 
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