Биполярный транзистор 3CG1218A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG1218A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT323
3CG1218A Datasheet (PDF)
3cg1218a.pdf
2SB1218A(3CG1218A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: General amplification. :, 2SD1819A(3DG1819A) Features: High h complements the 2SD1819A(3DG1819A). FE, /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -45 V CBO V -45 V CEO V -7.0 V E
3cg1213.pdf
2SA1213(3CG1213) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Power amplifier and switching applications. : , 2SC2873(3DG2873) Features: Low collector saturation voltage, High speed switching time, small flat package, Complementary to 2SC2873(3DG2873).
3cg12.pdf
3CG12 PNP A B C D E F G H I PCM TA=25 500 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 50 80 20 40 70 15 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 40 70 15 30 60 12 30 50 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V
3cg1201.pdf
2SA1201(3CG1201) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: power amplifier applications. ,, 2SC2881(3DG2881) Features: High f , high V , small flat package, complementary pair with 2SC2881(3DG2881). T CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3cg1283.pdf
2SA1283(3CG1283) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: General purpose amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -60 V CEO V -6.0 V EBO I -1.0 A C P 0.9 W CT 150 j T -55150 stg /Electrical charact
3cg1260.pdf
2SB1260(3CG1260) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Power amplifier applications. : 2SD1898(3DG1898) Features: High breakdown voltage, good h linearity, low V , complements FE CE(sat)the 2SD1898(3DG1898). /Absolute maximum ratings(Ta=25
3cg1203.pdf
2SA1203(3CG1203) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency amplifier applications. 3W 2SC28833DG2883 Features: Suitable for output stage of 3 watts amplifier, small flat package, complementary to 2SC2883(3DG2883). /Absolute maximum ratings(Ta=2
3cg1295.pdf
2SB1295(3CG1295) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: AF power amplifiermedium-speed switching, small-sized motor drivers. : Features: Large current capacity, low collector to emitter saturation voltage, very s
3cg120.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3CG120,3CG130 PNP Silicon High Frequency Middle Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050