3CG17B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG17B

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO92 SOT23

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3CG17B datasheet

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3CG17B

3CG17B PNP PCM TA=25 150 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 12 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=6V 0.2 A IC=10mA VCEsat 0.5 V IB=1mA VCE=6V hFE 30 IC=2mA VCE=5V fT IC=5mA 100 MHz fo=3

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3CG17B

LJ2015-37 3CG170 PNP A B C D E P Ta=25 500 mW CM I 50 mA CM T 175 jm T -55 150 stg V I =0.1mA 80 120 160 200 240 V (BR)CBO CB V I =0.1mA 60 100 140 180 200 V (BR)CEO CE V I =0.1mA 4.0 V (BR)EBO EB I V =3

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3CG17B

2SA1797(3CG1797) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR , , 2SC4672(3DG4672) Features Low saturation voltage, excellent DC current gain characteristics, complements the 2SC4672(3DG4672). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V CBO V -50 V

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3CG17B

2SA1700(3CG1700) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose High voltage driver applications. MBIT Features High breakdown voltage, adoption of MBIT process excellent hFE linearity. /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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