3CG1955 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG1955

Código: HGAA_HGAB

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT23

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3CG1955 datasheet

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3CG1955

2SA1955(3CG1955) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General purpose amplifier and muting switch application . , Features Low saturation voltage, large collector current. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -15 V CBO V -12 V

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3CG1955

2SA1980(3CG1980) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General small signal amplifier applications. 2SC5343(3DG5343) Features Low V ,low output capacitance, complementary pair with 2SC5343(3DG5343). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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3CG1955

2SA1981S(3CG1981M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio power amplifier application. 2SC5344S(3DG5344M) Features High h , complementary pair with 2SC5344S(3DG5344M). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30

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3CG1955

2SA1979S(3CG1979S) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Medium power amplifier applications. , , 2SC5342S(3DG5342S) Features Large I ,low V ,complementary pair with the 2SC5342S(3DG5342S). C CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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