3CG1955 Todos los transistores

 

3CG1955 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG1955
   Código: HGAA_HGAB
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3CG1955 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  lzg
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3CG1955

2SA1955(3CG1955) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier and muting switch application . , Features: Low saturation voltage, large collector current. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -15 V CBO V -12 V

 9.1. Size:220K  lzg
 3cg1980.pdf pdf_icon

3CG1955

2SA1980(3CG1980) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General small signal amplifier applications. : 2SC5343(3DG5343) Features: Low V ,low output capacitance, complementary pair with 2SC5343(3DG5343). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.2. Size:185K  lzg
 3cg1981m.pdf pdf_icon

3CG1955

2SA1981S(3CG1981M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio power amplifier application. : 2SC5344S(3DG5344M) Features: High h , complementary pair with 2SC5344S(3DG5344M). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30

 9.3. Size:276K  lzg
 3cg1979s.pdf pdf_icon

3CG1955

2SA1979S(3CG1979S) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose: Medium power amplifier applications. ,, 2SC5342S(3DG5342S) Features: Large I ,low V ,complementary pair with the 2SC5342S(3DG5342S). C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

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