3CG1980 Todos los transistores

 

3CG1980 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG1980
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

3CG1980 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  lzg
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3CG1980

2SA1980(3CG1980) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General small signal amplifier applications. : 2SC5343(3DG5343) Features: Low V ,low output capacitance, complementary pair with 2SC5343(3DG5343). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

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3CG1980

2SA1980S(3CG1980M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General small signal amplifier applications. 2SC5343S(3DG5343M) Features: Low V , low output capacitance, complementary pair with 2SC5343S(3DG5343M). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

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3CG1980

2SA1981S(3CG1981M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio power amplifier application. : 2SC5344S(3DG5344M) Features: High h , complementary pair with 2SC5344S(3DG5344M). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30

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3CG1980

2SA1981(3CG1981) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio power amplifier application. : 2SC5344(3DG5344) Features: High h , complementary pair with 2SC5344(3DG5344). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30 V C

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History: 2SB632E | 2SD401Y | 2SA1539 | ERS350 | KT657V-2 | BCW15M | 2SC2571-2

 

 
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