3CG1980. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG1980

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG1980

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG1980 даташит

 ..1. Size:220K  lzg
 3cg1980.pdf pdf_icon

3CG1980

2SA1980(3CG1980) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose General small signal amplifier applications. 2SC5343(3DG5343) Features Low V ,low output capacitance, complementary pair with 2SC5343(3DG5343). CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

 0.1. Size:240K  lzg
 3cg1980m.pdf pdf_icon

3CG1980

 8.1. Size:185K  lzg
 3cg1981m.pdf pdf_icon

3CG1980

2SA1981S(3CG1981M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio power amplifier application. 2SC5344S(3DG5344M) Features High h , complementary pair with 2SC5344S(3DG5344M). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30

 8.2. Size:223K  lzg
 3cg1981.pdf pdf_icon

3CG1980

2SA1981(3CG1981) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio power amplifier application. 2SC5344(3DG5344) Features High h , complementary pair with 2SC5344(3DG5344). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30 V C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3CG170, 3CG1700, 3CG1797, 3CG17B, 3CG180, 3CG182, 3CG1955, 3CG1979S, S9014, 3CG1980M, 3CG1981, 3CG1981M, 3CG2, 3CG200, 3CG201, 3CG2048, 3CG21