Биполярный транзистор 3CG1980 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG1980
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO92
3CG1980 Datasheet (PDF)
3cg1980.pdf
2SA1980(3CG1980) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General small signal amplifier applications. : 2SC5343(3DG5343) Features: Low V ,low output capacitance, complementary pair with 2SC5343(3DG5343). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3cg1980m.pdf
2SA1980S(3CG1980M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: General small signal amplifier applications. 2SC5343S(3DG5343M) Features: Low V , low output capacitance, complementary pair with 2SC5343S(3DG5343M). CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)
3cg1981m.pdf
2SA1981S(3CG1981M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio power amplifier application. : 2SC5344S(3DG5344M) Features: High h , complementary pair with 2SC5344S(3DG5344M). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30
3cg1981.pdf
2SA1981(3CG1981) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Audio power amplifier application. : 2SC5344(3DG5344) Features: High h , complementary pair with 2SC5344(3DG5344). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -30 V C
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
