3CG200 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG200

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO18

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3CG200 datasheet

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3CG200

3CG200 PNP A B C D E F G PCM 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.05mA 20 30 40 50 60 70 80 V V(BR)CEO ICE=0.05mA 15 20 30 40 50 60 70 V V(BR)EBO IEB=0.05mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.2 A ICEO VCE=10V

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3CG200

3CG201 PNP A B C D PCM TA=25 1 W ICM 1 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CEO ICE=0.1mA 60 100 140 180 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICEO VCE=30V 1.0 A IC=500mA VCEsat 0.5 V IB=50mA VCE=5V hFE 25 270 IC=200mA VCE=10V

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3CG200

2SA2048(3CG2048) PNP /SILICON PNP RANSISTOR , Purpose Small signal low frequency amplifier, high speed switching. 2SC5730(3DG5730) Features High speed switching, low saturation voltage, complements the 2SC5730(3DG5730). /Absolute maximum ratings(Ta=2

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