3CG5087 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG5087

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 3 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 40 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: TO92

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3CG5087 datasheet

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3CG5087

2N5087(3CG5087) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR 50mA Purpose This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V

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