3CG5087. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG5087

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG5087

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG5087 даташит

 ..1. Size:352K  lzg
 3cg5087.pdf pdf_icon

3CG5087

2N5087(3CG5087) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR 50mA Purpose This device is designed for low noise,high gain,general purpose amplifier applications at collector currents to 50mA. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -50 V

Другие транзисторы: 3CG2907, 3CG2907A, 3CG298, 3CG3, 3CG3906, 3CG4126, 3CG4403, 3CG5, 2SC2625, 3CG5415, 3CG56, 3CG560, 3CG561, 3CG562, 3CG562M, 3CG562TM, 3CG5T3Z