3CG673 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG673
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 35 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de 3CG673
3CG673 Datasheet (PDF)
3cg673.pdf
2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features: Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 VCBO V 3C
3cg673a.pdf
2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features: Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 VCBO V 3C
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History: 2SC4808 | KSC3488Y
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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