3CG673 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG673

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO92

 Búsqueda de reemplazo de 3CG673

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3CG673 datasheet

 ..1. Size:242K  lzg
 3cg673.pdf pdf_icon

3CG673

2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier. 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 V CBO V 3C

 0.1. Size:242K  lzg
 3cg673a.pdf pdf_icon

3CG673

2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier. 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 V CBO V 3C

Otros transistores... 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 2SC5198, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F, 3CG719, 3CG720