3CG673. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG673

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG673

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG673 даташит

 ..1. Size:242K  lzg
 3cg673.pdf pdf_icon

3CG673

2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier. 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 V CBO V 3C

 0.1. Size:242K  lzg
 3cg673a.pdf pdf_icon

3CG673

2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier. 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 V CBO V 3C

Другие транзисторы: 3CG5T3Z, 3CG6, 3CG608, 3CG608K, 3CG624, 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 2SC5198, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F, 3CG719, 3CG720