Биполярный транзистор 3CG673 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG673
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO92
3CG673 Datasheet (PDF)
3cg673.pdf
2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features: Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 VCBO V 3C
3cg673a.pdf
2SA673A(3CG673A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A) Features: Complementary pair with 2SC1213(3DG1213)/2SC1213A(3DG1213A). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG673 -35 VCBO V 3C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050