3CG715 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG715

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 35 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 160 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO126

 Búsqueda de reemplazo de 3CG715

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3CG715 datasheet

 ..1. Size:354K  lzg
 3cg715.pdf pdf_icon

3CG715

2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier applications. 2SC1162(3DA1162) /Features Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5

 0.1. Size:352K  lzg
 3cg715f.pdf pdf_icon

3CG715

2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier applications. 2SC1162F(3DA1162F) /Features Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I

 9.1. Size:298K  lzg
 3cg719.pdf pdf_icon

3CG715

2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose AF output amplifier and driver. 2SC1317(3DG1317) /Features Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50

Otros transistores... 3CG636, 3CG640, 3CG6517, 3CG673, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, BC549, 3CG715F, 3CG719, 3CG720, 3CG733, 3CG733M, 3CG739, 3CG743, 3CG743A