3CG719 Todos los transistores

 

3CG719 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG719
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

3CG719 Datasheet (PDF)

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3CG719

2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF output amplifier and driver. : 2SC1317(3DG1317)/Features:Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50

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3CG719

2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162F(3DA1162F)/Features: Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I

 9.2. Size:354K  lzg
 3cg715.pdf pdf_icon

3CG719

2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162(3DA1162)/Features: Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BCR196 | MMBT3906TT1 | 2N4150S | 2N5900 | 2N6208 | 2SB698 | BC300-6

 

 
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