Биполярный транзистор 3CG719 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG719
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO92
3CG719 Datasheet (PDF)
3cg719.pdf
2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF output amplifier and driver. : 2SC1317(3DG1317)/Features:Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50
3cg715f.pdf
2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162F(3DA1162F)/Features: Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I
3cg715.pdf
2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162(3DA1162)/Features: Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050