3CG719. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG719

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG719

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG719 даташит

 ..1. Size:298K  lzg
 3cg719.pdf pdf_icon

3CG719

2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose AF output amplifier and driver. 2SC1317(3DG1317) /Features Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50

 9.1. Size:352K  lzg
 3cg715f.pdf pdf_icon

3CG719

2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier applications. 2SC1162F(3DA1162F) /Features Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I

 9.2. Size:354K  lzg
 3cg715.pdf pdf_icon

3CG719

2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Low frequency power amplifier applications. 2SC1162(3DA1162) /Features Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5

Другие транзисторы: 3CG6517, 3CG673, 3CG673A, 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F, 2SA1015, 3CG720, 3CG733, 3CG733M, 3CG739, 3CG743, 3CG743A, 3CG764, 3CG774