Биполярный транзистор 3CG719 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG719
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO92
3CG719 Datasheet (PDF)
3cg719.pdf
2SA719(3CG719) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:AF output amplifier and driver. : 2SC1317(3DG1317)/Features:Complementary pair with 2SC1317(3DG1317). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -5.0 V EBO I -50
3cg715f.pdf
2SA715F(3CG715F) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162F(3DA1162F)/Features: Complementary pair with 2SC1162F(3DA1162F). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5 V EBO I
3cg715.pdf
2SA715(3CG715) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Low frequency power amplifier applications. : 2SC1162(3DA1162)/Features: Complementary pair with 2SC1162(3DA1162). /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -35 V CBO V -35 V CEO V -5.0 V EBO I -2.5
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
