3CG733M Todos los transistores

 

3CG733M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG733M
   Código: HDRR_HDRQ_HDRP_HDRK
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3CG733M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  lzg
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3CG733M

2SA733M(3CG733M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FE FEFE/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -

 8.1. Size:258K  lzg
 3cg733.pdf pdf_icon

3CG733M

2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FEFE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA

 9.1. Size:252K  lzg
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3CG733M

2SB739(3CG739) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SD788(3DG788) Features: Complementary pair with 2SD788(3DG788). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20 V CEO V -6.0 V EBO I -2.0 A C

Otros transistores... 3CG698 , 3CG708 , 3CG709A , 3CG715 , 3CG715F , 3CG719 , 3CG720 , 3CG733 , BC549 , 3CG739 , 3CG743 , 3CG743A , 3CG764 , 3CG774 , 3CG778 , 3CG778A , 3CG790A .

History: KTC4793 | 2SC5343T | 2N6674 | 2SA1709T-AN | 2N6732 | 2STC5949 | EMH6

 

 
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