3CG733M Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG733M

Código: HDRR_HDRQ_HDRP_HDRK

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT23

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3CG733M datasheet

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3CG733M

2SA733M(3CG733M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Driver stage of AF power amplifier. h /Features High h and excellent h linearity. FE FE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -

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3CG733M

2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Driver stage of AF power amplifier. h /Features High h and excellent h linearity. FE FE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA

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3CG733M

2SB739(3CG739) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier. 2SD788(3DG788) Features Complementary pair with 2SD788(3DG788). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20 V CEO V -6.0 V EBO I -2.0 A C

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