Биполярный транзистор 3CG733M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG733M
Маркировка: HDRR_HDRQ_HDRP_HDRK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Корпус транзистора: SOT23
3CG733M Datasheet (PDF)
3cg733m.pdf
2SA733M(3CG733M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FE FEFE/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -
3cg733.pdf
2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Driver stage of AF power amplifier. :h /Features: High h and excellent h linearity. FEFE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA
3cg739.pdf
2SB739(3CG739) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Low frequency power amplifier. : 2SD788(3DG788) Features: Complementary pair with 2SD788(3DG788). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20 V CEO V -6.0 V EBO I -2.0 A C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS