3CG733M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG733M

Маркировка: HDRR_HDRQ_HDRP_HDRK

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3CG733M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG733M даташит

 ..1. Size:345K  lzg
 3cg733m.pdf pdf_icon

3CG733M

2SA733M(3CG733M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Driver stage of AF power amplifier. h /Features High h and excellent h linearity. FE FE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -

 8.1. Size:258K  lzg
 3cg733.pdf pdf_icon

3CG733M

2SA733(3CG733) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Driver stage of AF power amplifier. h /Features High h and excellent h linearity. FE FE FE /Absolute Maximum Ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -60 V CBO V -50 V CEO V -5.0 V EBO I -150 mA

 9.1. Size:252K  lzg
 3cg739.pdf pdf_icon

3CG733M

2SB739(3CG739) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier. 2SD788(3DG788) Features Complementary pair with 2SD788(3DG788). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -20 V CBO V -20 V CEO V -6.0 V EBO I -2.0 A C

Другие транзисторы: 3CG698, 3CG708, 3CG709A, 3CG715, 3CG715F, 3CG719, 3CG720, 3CG733, 2SD669, 3CG739, 3CG743, 3CG743A, 3CG764, 3CG774, 3CG778, 3CG778A, 3CG790A