3CG774 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG774
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG774
3CG774 Datasheet (PDF)
3cg774.pdf
2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:Audio frequency amplifier. :V 2SD889(3DG889) EBOFeatures:High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1
3cg778.pdf
2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P
3cg778a.pdf
2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P
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