Справочник транзисторов. 3CG774

 

Биполярный транзистор 3CG774 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3CG774
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3CG774

 

 

3CG774 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  lzg
3cg774.pdf

3CG774
3CG774

2SB774(3CG774) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose:Audio frequency amplifier. :V 2SD889(3DG889) EBOFeatures:High V ,complementary pair with 2SD889(3DG889). EBO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -25 V CEO V -8.0 V EBO I -1

 9.1. Size:237K  lzg
3cg778.pdf

3CG774
3CG774

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P

 9.2. Size:237K  lzg
3cg778a.pdf

3CG774
3CG774

2SA778(3CG778) 2SA778A(3CG778A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage medium speed switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3CG778 -150 VCBO V 3CG778A -180 3CG778 -150 V V CER 3CG778A -180 VEBO -5.0 V I -50 mA C P

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top