3CG8550A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CG8550A
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 15 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 85
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3CG8550A
3CG8550A Datasheet (PDF)
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S8550A(3CG8550A) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , S8050A(3DG8050A) C CFeatures: High P and I , complementary pair with S8050A(3DG8050A). C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rati
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PNP PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR R3CG8550 MAIN CHARACTERISTICS Package I -1.5A CV -25V CEOP 1W C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit TO-92
3cg8550m s8550m.pdf
S8550M(3CG8550M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Power amplifier applications. : S8050M(3DG8050M)/Features: Complementary pair with S8050M(3DG8050M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -40 V CBO V -25 V CEO V -6.0 V EBO I -800 mA
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S8550(3CG8550) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: Amplifier of portable radios in class B push-pull operation. :P I , S8050(3DG8050) C CFeatures: High P and I , complementary pair with S8050(3DG8050). C C/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Uni
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History: BD236-10
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Liste
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