3CG950 Todos los transistores

 

3CG950 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG950
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 35 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 19 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

3CG950 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:384K  lzg
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3CG950

2SA950(3CG950) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier. : h , 1W , 2SC2120(3DG2120) FEFeatures: High h ,1W output applications, Complementary pair with 2SC2120(3DG2120). FE/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -

 9.1. Size:535K  china
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3CG950

2SA953(3CG953) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency amplifier and driver stage. :,h ,V /Features: High total power dissipation, high h and FEFE CEOhigh V . CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit

 9.2. Size:259K  lzg
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3CG950

2SA952(3CG952) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. :,h ,V /Features: High total dissipation, high h and low V . FE CE(sat)FE CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25)

 9.3. Size:347K  lzg
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3CG950

2SA953M(3CG953M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency amplifier and driver stage. :,h ,V /Features: High total power dissipation, high h and FEFE CEOhigh V . CEO/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit

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History: GSTMMBT5401 | 3CD1010 | BSP62T1 | DT1602 | 2SA2210-1E | NB021HY | FJAF6910

 

 
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