3CG953 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG953

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: TO92

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3CG953 datasheet

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3CG953

2SA953(3CG953) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier and driver stage. ,h ,V /Features High total power dissipation, high h and FE FE CEO high V . CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit

 0.1. Size:347K  lzg
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3CG953

2SA953M(3CG953M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency amplifier and driver stage. ,h ,V /Features High total power dissipation, high h and FE FE CEO high V . CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit

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3CG953

2SA952(3CG952) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Output stage of portable radio and cassette type tape recorder, general purpose applications. ,h ,V /Features High total dissipation, high h and low V . FE CE(sat) FE CE(sat) /Absolute maximum ratings(Ta=25 )

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3CG953

2SA950(3CG950) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR /Purpose Audio frequency power amplifier. h , 1W , 2SC2120(3DG2120) FE Features High h ,1W output applications, Complementary pair with 2SC2120(3DG2120). FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -

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