3DD102 Todos los transistores

Introduzca al menos 3 números o letras

3DD102 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD102

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO3_TO220_TO257

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD102

 

3DD102 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd102.pdf Size:150K _china

3DD102

3DD101/3DD102 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 50 W ICM 5 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 2 ℃/W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=3mA ≥100 ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 ≥350 V V(BR)CEO ICE=3mA ≥50 ≥100 ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥4.0 V ICBO VCB=50V ≤0.

5.1. 3dd103.pdf Size:150K _china

3DD102

3DD103 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E PCM TC=75℃ 50 W ICM 3 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 2 ℃/W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA ≥300 ≥600 ≥800 ≥1200 ≥1500 V V(BR)CEO ICE=5mA ≥200 ≥300 ≥400 ≥600 ≥800 V V(BR)EBO IEB=10mA ≥4.0 V ICBO VCB=50V ≤0.1 mA 直 流 ICE

5.2. 3dd104.pdf Size:24K _china

3DD102

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD104 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. Use for Low-speed sw

 5.3. 3dd101.pdf Size:150K _china

3DD102

3DD101/3DD102 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 50 W ICM 5 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 2 ℃/W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=3mA ≥100 ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 ≥350 V V(BR)CEO ICE=3mA ≥50 ≥100 ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥4.0 V ICBO VCB=50V ≤0.

5.4. 3dd100.pdf Size:149K _china

3DD102

3DD99(3DD100)型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E PCM Tc=75℃ 20 W ICM 1.5 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 5 ℃/W IC=0.5A V(BR)CBO ICE=1mA ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 ≥350 V V(BR)CEO ICE=1mA ≥100 ≥150 ≥200 ≥250 ≥300 V V(BR)EBO IEB=1mA ≥5.0 V ICBO VCB=50V ≤0.5 mA 直

 5.5. 3dd10.pdf Size:33K _china

3DD102

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD10, 3DD11 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ84

Otros transistores... 3DD03T , 3DD04T , 3DD05 , 3DD05T , 3DD1 , 3DD10 , 3DD100 , 3DD101 , S9013 , 3DD103 , 3DD104 , 3DD11 , 3DD12 , 3DD122 , 3DD127D3 , 3DD127D5 , 3DD128A8D .

Back to Top

 


3DD102
  3DD102
  3DD102
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: 2SA1897 | KRC664E | KRC663E | SMUN5335DW | MP1526 | 3DD5287 | E3150 | 3DD2499 | 3DD4212DT | 2SC9014 | US6H23 | UMH9NFHA | UMH8NFHA | UMH6NFHA | UMH5NFHA | UMH4NFHA | UMH3NFHA | UMH33N | UMH32N | UMH2NFHA |


Introduzca al menos 1 números o letras

 

Back to Top