3DD13002B1 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13002B1

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO92

 Búsqueda de reemplazo de 3DD13002B1

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD13002B1 datasheet

 ..1. Size:182K  crhj
 3dd13002b1.pdf pdf_icon

3DD13002B1

 ..2. Size:197K  wuxi china
 3dd13002b1.pdf pdf_icon

3DD13002B1

NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.1. Size:178K  crhj
 3dd13002b1-7.pdf pdf_icon

3DD13002B1

NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W

 0.2. Size:183K  crhj
 3dd13002b1d.pdf pdf_icon

3DD13002B1

NPN R 3DD13002 B1D 3DD13002 B1D VCEO 400 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 3DD128FH3D, 3DD128FH5D, 3DD128FH6D, 3DD128FH8D, 3DD128Y8D, 3DD13001A1, 3DD13001P, 3DD13001P1, C3198, 3DD13002B1-7, 3DD13002B1D, 3DD13002R1D, 3DD13002RUD, 3DD13003E6D, 3DD13003F1D, 3DD13003F3D, 3DD13003F6D