3DD13002B1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13002B1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DD13002B1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13002B1 даташит

 ..1. Size:182K  crhj
 3dd13002b1.pdf pdf_icon

3DD13002B1

 ..2. Size:197K  wuxi china
 3dd13002b1.pdf pdf_icon

3DD13002B1

NPN R 3DD13002 B1 3DD13002 B1 NPN VCEO 400 V IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.1. Size:178K  crhj
 3dd13002b1-7.pdf pdf_icon

3DD13002B1

NPN R 3DD13002 B1-7 3DD13002 B1-7 VCEO 450 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.7 W

 0.2. Size:183K  crhj
 3dd13002b1d.pdf pdf_icon

3DD13002B1

NPN R 3DD13002 B1D 3DD13002 B1D VCEO 400 V NPN IC 0.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD128FH3D, 3DD128FH5D, 3DD128FH6D, 3DD128FH8D, 3DD128Y8D, 3DD13001A1, 3DD13001P, 3DD13001P1, C3198, 3DD13002B1-7, 3DD13002B1D, 3DD13002R1D, 3DD13002RUD, 3DD13003E6D, 3DD13003F1D, 3DD13003F3D, 3DD13003F6D