3DD13003VUD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13003VUD  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO89S

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3DD13003VUD datasheet

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3DD13003VUD

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3DD13003VUD

NPN MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13003V1D APPLICATIONS Package Energy-saving ligh Electronic ballasts Electronic transformer Commonly power amplifier circuit FEATURES M

 5.2. Size:418K  blue-rocket-elect
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3DD13003VUD

MJE13003VK1(BR3DD13003VK1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications 110V Suitable for 110V circuit mode, fluore

 5.3. Size:446K  blue-rocket-elect
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3DD13003VUD

MJE13003VK7(BR3DD13003VK7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features RoHS High voltage capability, high speed switching, wide soa, RoHS compliant. / Applications 110V

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