3DD13005C8D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13005C8D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220AB
- Selección de transistores por parámetros
3DD13005C8D Datasheet (PDF)
3dd13005c8d.pdf
NPN R 3DD13005 C8D 3DD13005 C8D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005c9d.pdf
NPN R 3DD13005 C9D 3DD13005 C9D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 75 W
3dd13005c7d.pdf
NPN R 3DD13005 C7D 3DD13005 C7D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 50 W
3dd13005c3d.pdf
NPN R 3DD13005 C3D 3DD13005 C3D NPN VCEO 400 V IC 4 A Ptot TC=25 40 W
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BD648 | SGSIF444 | CPH5902 | 2SC536N | PN4142 | 3DD128FH3D | GES5137
History: BD648 | SGSIF444 | CPH5902 | 2SC536N | PN4142 | 3DD128FH3D | GES5137
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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