3DD13007H8D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13007H8D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220AB

 Búsqueda de reemplazo de 3DD13007H8D

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

3DD13007H8D datasheet

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13007h8d.pdf pdf_icon

3DD13007H8D

NPN R 3DD13007 H8D 3DD13007 H8D NPN VCEO 400 V IC 9 A Ptot W TC=25 90

 5.1. Size:506K  blue-rocket-elect
br3dd13007hv7r.pdf pdf_icon

3DD13007H8D

MJE13007HV7(BR3DD13007HV7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic light

 6.1. Size:376K  1
3dd13007k.pdf pdf_icon

3DD13007H8D

 6.2. Size:767K  jiangsu
3dd13007n36f.pdf pdf_icon

3DD13007H8D

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistor 3DD13007N36F TRANSISTOR (NPN) TO-220F FEATURES Power switching applications 1. BASE 1 2 3 2. COLLECTOR 3. EMITTER 13007N=Device code Equivalent Circuit Solid dot=Green moldinn compound device, if none,the normal device 13007N 36F=Code 36F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unl

Otros transistores... 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D, 3DD13005P8D, 3DD13007, 3DD13007B8, BC548, 3DD13007X1, 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8, 3DD13009, 3DD13009A8, 3DD13009AN, 3DD13009C8