3DD13007H8D - описание и поиск аналогов

 

3DD13007H8D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DD13007H8D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220AB

 Аналоги (замена) для 3DD13007H8D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD13007H8D даташит

 ..1. Size:155K  crhj
3dd13007h8d.pdfpdf_icon

3DD13007H8D

NPN R 3DD13007 H8D 3DD13007 H8D NPN VCEO 400 V IC 9 A Ptot W TC=25 90

 5.1. Size:506K  blue-rocket-elect
br3dd13007hv7r.pdfpdf_icon

3DD13007H8D

MJE13007HV7(BR3DD13007HV7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 NPN Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic light

 6.1. Size:376K  1
3dd13007k.pdfpdf_icon

3DD13007H8D

 6.2. Size:767K  jiangsu
3dd13007n36f.pdfpdf_icon

3DD13007H8D

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-220F Plastic-Encapsulate Transistor 3DD13007N36F TRANSISTOR (NPN) TO-220F FEATURES Power switching applications 1. BASE 1 2 3 2. COLLECTOR 3. EMITTER 13007N=Device code Equivalent Circuit Solid dot=Green moldinn compound device, if none,the normal device 13007N 36F=Code 36F MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unl

Другие транзисторы: 3DD13005G7D, 3DD13005G8D, 3DD13005GRD, 3DD13005N7D, 3DD13005N8D, 3DD13005P8D, 3DD13007, 3DD13007B8, BC548, 3DD13007X1, 3DD13007Y8, 3DD13007Z7, 3DD13007Z8, 3DD13009, 3DD13009A8, 3DD13009AN, 3DD13009C8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.