3DD13009C8 Todos los transistores

 

3DD13009C8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD13009C8

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD13009C8

 

3DD13009C8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13009c8.pdf Size:153K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 C8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13009 C8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 12 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 100 W 结构

2.1. br3dd13009x7r.pdf Size:463K _update

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MJE13009X7(BR3DD13009X7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,开关速度快。 High voltage capability, high speed switching. 用途 / Applications 节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications . 内部等效

2.2. br3dd13009x9p.pdf Size:445K _update

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MJE13009X9(BR3DD13009X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-3P 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. 特征 / Features 快速转换。 High Speed Switching 用途 / Applications 节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications. 内部等效电路 / Equivalent Circuit 引脚排列

 2.3. br3dd13009x8f.pdf Size:423K _update

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MJE13009X8(BR3DD13009X8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,开关速度快。 High voltage capability, high speed switching. 用途 / Applications 主要用于节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications.

2.4. br3dd13009z8f.pdf Size:449K _update

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MJE13009Z8(BR3DD13009Z8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,开关速度快。 High voltage capability, high speed switching. 用途 / Applications 节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications. 内部等

 2.5. 3dd13009.pdf Size:198K _lge

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3DD13009(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V Dimensions in inches and (millimeters) IC Collector Current -Continuous

2.6. 3dd13009k.pdf Size:327K _jilin_sino

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NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13009K 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 封装 Package IC 12A VCEO 400V PC(TO-220C) 100W PC(TO-3PB) 120W 用途 APPLICATIONS 节能灯 Energy-saving light 电子镇流器 Electronic ballasts 高频开关电源 High frequency switching power 高频功率变换 supply

2.7. 3dd13009 a8.pdf Size:153K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13009 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 12 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot (TC=25℃) 100 W 结构

2.8. 3dd13009 c8.pdf Size:154K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 C8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13009 C8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 12 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 100 W 结构

2.9. 3dd13009 an.pdf Size:155K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 AN 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13009 AN 是硅 NPN ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管,该产品 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 12 A 采用平面工艺,分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot (TC=25℃) 120 W 结构和少

2.10. 3dd13009 x8d.pdf Size:154K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 X8D 产品概述 特征参数 产品特点 3DD13009 X8D 是硅 ● 开关损耗低 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 12 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 100 W 终端结构和

2.11. 3dd13009an.pdf Size:159K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 AN 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13009 AN 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管,该产品 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 12 A 采用平面工艺,分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot (TC=25℃) 120 W 结构和

2.12. 3dd13009.pdf Size:198K _china

3DD13009C8
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 3DD13009(NPN) TO-220 Transistor TO-220 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 3 2 1 Features power switching applications MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V Dimensions in inches and (millimeters) IC Collector Current -Contin

2.13. 3dd13009x8d.pdf Size:155K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 X8D 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13009 X8D 是硅 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V NPN 型功率开关晶体管,该 ● 高温特性好 IC 12 A 产品采用平面工艺, 分压环 ● 合适的开关速度 Ptot (TC=25℃) 100 W 终端结构

2.14. 3dd13009a8.pdf Size:153K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13009 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD13009 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 12 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot (TC=25℃) 100 W 结构

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