3DD13012AN . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD13012AN
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
Tensión colector-base (Vcb): 750 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD13012AN
3DD13012AN Datasheet (PDF)
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NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W
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NPN R 3DD13012 A8 3DD13012 A8 NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 100 W
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3dd13012 an.pdf
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NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W
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NPN R 3DD13012 A8 3DD13012 A8 NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 100 W
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