Биполярный транзистор 3DD13012AN - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD13012AN
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 750 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3P
Аналоги (замена) для 3DD13012AN
3DD13012AN Datasheet (PDF)
..1. Size:160K crhj
3dd13012an.pdf
3dd13012an.pdf
NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W
5.1. Size:155K crhj
3dd13012a8.pdf
3dd13012a8.pdf
NPN R 3DD13012 A8 3DD13012 A8 NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 100 W
6.1. Size:161K crhj
3dd13012 an.pdf
3dd13012 an.pdf
NPN R 3DD13012 AN 3DD13012 AN NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 120 W
6.2. Size:155K crhj
3dd13012 a8.pdf
3dd13012 a8.pdf
NPN R 3DD13012 A8 3DD13012 A8 NPN VCEO 400 V IC 15 A Ptot TC=25 100 W
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
