3DD175 Todos los transistores

 

3DD175 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DD175
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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3DD175 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  china
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3DD175

3DD175/3DD176 NPN A B C D E F G PCM TC=75 300 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.33 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V

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3DD175

3DD1724 NPN PCM TC=75 60 W ICM 5 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1.67 /W IC=1.5A V(BR)CBO ICB=5mA 120 V V(BR)CEO ICE=7mA 80 V V(BR)EBO IEB=10mA 10 V ICBO VCB=80V 0.1 mA ICEO VCE=50V 0.5 mA IEBO VEB=4V 0.1 mA VBEsat 1.5

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3DD175

3DD175/3DD176 NPN A B C D E F G PCM TC=75 300 W ICM 30 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.33 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=5mA 80 150 200 250 350 400 600 V V(BR)CEO ICE=5mA 50 100 150 200 250 300 400 V V(BR)EBO IEB=15mA 5.0 V

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3DD175

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD171(172), 3DD175(176) NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97 4. U

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History: 2SC136

 

 
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