3DD2334 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD2334
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
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3DD2334 Datasheet (PDF)
3dd2334.pdf

2SC2334(3DD2334) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :DC/DC Purpose: Use for high voltage high speed switching, for a drive in devices such as switching regulators,DC/DC converters,high frequency power amplifiers. 2SA1010(3CD1010)
3dd237.pdf

3DD237(BD237) NPN PCM TC=25 25 W ICM 2 A Tjm 150 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 5 /W IC=0.4A V(BR)CBO ICB0.1mA 100 V V(BR)CEO ICE10mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5 V ICBO VCB=100V 100 A IEBO VEB=5V 1 mA IC=1A VCEsat 0.6 V IB=0.1A
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BC635-10 | MMBC1623L4 | KSE45H-1 | MP801
History: BC635-10 | MMBC1623L4 | KSE45H-1 | MP801



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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