3DD3853 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD3853
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO220F
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3DD3853 datasheet
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3DD3853(NPN) TO-220F Bipolar Transistors TO-220F 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3 Features High Current Gain Saturation Voltage Low Power dissipation PCW 2 W (Tamb=25 ) 25 W (Tcase=25 ) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collect
3dd3853.pdf
2SC3853(3DD3853) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Application Applications for pillow distortion adjustment for Color TV and low voltage adjustment . Features Low Saturation Voltage Excellent DC current characteristics /Absolute maximum ra
3dd3852.pdf
3DD3852(NPN) TO-220F Bipolar Transistors TO-220F 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3 Features High Current Gain Saturation Voltage Low Power dissipation PCW 2 W (Tamb=25 ) 25 W (Tcase=25 ) Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-
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History: KSR2101 | 3DD31CT4
🌐 : EN ES РУ
Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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