Справочник транзисторов. 3DD3853

 

Биполярный транзистор 3DD3853 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DD3853
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 3DD3853

 

 

3DD3853 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  lge
 3dd3853.pdf

3DD3853 3DD3853

3DD3853(NPN)TO-220F Bipolar TransistorsTO-220F1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3FeaturesHigh Current Gain Saturation Voltage Low Power dissipation PCW : 2 W (Tamb=25 ) 25 W (Tcase=25) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Dimensions in inches and (millimeters)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collect

 ..2. Size:251K  lzg
 3dd3853.pdf

3DD3853 3DD3853

2SC3853(3DD3853) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Application: Applications for pillow distortion adjustment for Color TV and low voltage adjustment . : Features: Low Saturation VoltageExcellent DC current characteristics /Absolute maximum ra

 8.1. Size:460K  lge
 3dd3852.pdf

3DD3853 3DD3853

3DD3852(NPN)TO-220F Bipolar TransistorsTO-220F1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTE 1 2 3FeaturesHigh Current Gain Saturation Voltage Low Power dissipation PCW : 2 W (Tamb=25 ) 25 W (Tcase=25) Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 80 VVCEO Collector-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top