3DD68 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD68
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Empaquetado / Estuche: TO3_TO254
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD68
3DD68 Datasheet (PDF)
1.1. br3dd6802q.pdf 
Size:707K _update
BUL6802(BR3DD6802Q) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-126(R)塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-126(R) Plastic Package. 特征 / Features 耐压高，快速转换, 安全工作区宽，符合 ROHS 规范。 High Voltage Capability High Speed Switching, wide SOA,ROHS compliant. 用途 / Applications 主要用于节能灯、日
1.2. 3dd68.pdf Size:131K _china
3DD68/3DD69 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 100 W ICM 15 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 1 ℃/W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)EBO IEB=20mA ≥5.0 V ICBO VCB=20V ≤1.5 mA
Otros transistores... 3DD6 , 3DD60 , 3DD6012A6 , 3DD62 , 3DD63 , 3DD64 , 3DD65 , 3DD66 , TIP122 , 3DD69 , 3DD6E-T , 3DD7 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 .
