3DD68 Todos los transistores

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3DD68 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD68

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO3_TO254

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD68

3DD68 Datasheet (PDF)

1.1. br3dd6802q.pdf Size:707K _update

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BUL6802(BR3DD6802Q) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-126(R)塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-126(R) Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,快速转换, 安全工作区宽,符合 ROHS 规范。 High Voltage Capability High Speed Switching, wide SOA,ROHS compliant. 用途 / Applications 主要用于节能灯、日

1.2. 3dd68.pdf Size:131K _china

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3DD68/3DD69 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 100 W ICM 15 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 1 ℃/W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)EBO IEB=20mA ≥5.0 V ICBO VCB=20V ≤1.5 mA

Otros transistores... 3DD6 , 3DD60 , 3DD6012A6 , 3DD62 , 3DD63 , 3DD64 , 3DD65 , 3DD66 , TIP122 , 3DD69 , 3DD6E-T , 3DD7 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 .

 


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