3DD68 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD68
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3 TO254
Búsqueda de reemplazo de 3DD68
3DD68 Datasheet (PDF)
3dd68.pdf

3DD68/3DD69 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.5 mA
br3dd6802q.pdf

BUL6802(BR3DD6802Q) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126(R) NPN Silicon NPN transistor in a TO-126(R) Plastic Package. / Features , ROHS High Voltage Capability High Speed Switching, wide SOA,ROHS compliant. / Applications
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: FJV3107R | 2N6316 | D29J10 | 2SD882R
History: FJV3107R | 2N6316 | D29J10 | 2SD882R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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