3DD69 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD69
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
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3DD69 datasheet
3dd69.pdf
3DD68/3DD69 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.5 mA
Otros transistores... 3DD60, 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 2N2222A, 3DD6E-T, 3DD7, 3DD71, 3DD73, 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3
History: 3DD68
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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