3DD69 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD69  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3 TO254

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD69

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD69 даташит

 ..1. Size:131K  china
 3dd69.pdf pdf_icon

3DD69

3DD68/3DD69 NPN A B C D E F PCM TC=75 100 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 1 /W IC=3A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.5 mA

Другие транзисторы: 3DD60, 3DD6012A6, 3DD62, 3DD63, 3DD64, 3DD65, 3DD66, 3DD68, 2N2222A, 3DD6E-T, 3DD7, 3DD71, 3DD73, 3DD741A4, 3DD741A8, 3DD742A8, 3DD7525A3