3DD7 Todos los transistores

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3DD7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DD7

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 15

Empaquetado / Estuche: TO3

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DD7

3DD7 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd7d.pdf Size:138K _inchange_semiconductor

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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 3DD7D DESCRIPTION · ·With TO-3 package ·High power dissipation APPLICATIONS ·power amplifier ·Low-speed switching ·Power regulator PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolut maximum ratings (Ta=25?) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

1.2. 3dd741_a8.pdf Size:152K _crhj

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD741 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD741 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 60 结构和少

1.3. 3dd7.pdf Size:28K _china

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Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD7 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4.

1.4. 3dd741a4.pdf Size:159K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD741 A4 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD741 A4 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 30 结构和少

1.5. 3dd741a8.pdf Size:152K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD741 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD741 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 60 结构和少

1.6. 3dd7525a3.pdf Size:146K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD7525 A3 产品概述 特征参数 产品特点 ● 开关损耗低 3DD7525 A3 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 反向漏电流小 型功率开关晶体管, VCEO 750 V 该产品 ● 高温特性好 IC 2.5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W (TC=25℃) 30 结构

1.7. 3dd73.pdf Size:27K _china

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Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD73 NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion,low resistance liner process.Heavy out-put Current,small saturation voltage drop. Excellent out-put characteristic. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97 3. Use for Low-speed switch, power amplify,power adjustm

1.8. 3dd742a8.pdf Size:151K _china

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD742 A8 产品概述 特征参数 产品特点 ● 击穿电压高 3DD742 A8 是硅 NPN 符 号 额定值 单 位 ● 二次耐量好 型功率开关晶体管, VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 5 A 采用平面工艺, 分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W (TC=25℃) 70 结构和少子

1.9. 3dd71.pdf Size:121K _china

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3DD71 型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E F PCM TC=75℃ 150 W ICM 20 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 0.67 ℃/W IC=5A V(BR)CBO ICB=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)CEO ICE=10mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V V(BR)EBO IEB=20mA ≥5.0 V ICBO VCB=20V ≤2.0 mA

Otros transistores... 3DD62 , 3DD63 , 3DD64 , 3DD65 , 3DD66 , 3DD68 , 3DD69 , 3DD6E-T , BC558 , 3DD71 , 3DD73 , 3DD741A4 , 3DD741A8 , 3DD742A8 , 3DD7525A3 , 3DD8 , 3DD810 .

 


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