Биполярный транзистор 3DD7 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DD7
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO3
3DD7 Datasheet (PDF)
3dd7.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD7NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.Excellent capacity in anti-burnout.Excellent second breakdown capacity. 2. Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4.
3dd7525a3.pdf
NPN R 3DD7525 A3 3DD7525 A3 NPN VCEO 750 V IC 2.5 A Ptot W TC=25 30
3dd71.pdf
3DD71 NPN A B C D E F PCM TC=75 150 W ICM 20 A Tjm 175 Tstg -55~150 VCE=10V Rth 0.67 /W IC=5A V(BR)CBO ICB=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)CEO ICE=10mA 30 50 80 110 150 200 V V(BR)EBO IEB=20mA 5.0 V ICBO VCB=20V 2.0 mA
3dd73.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DD73NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion,low resistance liner process.Heavy out-put Current,small saturation voltage drop. Excellent out-put characteristic. 2. Implementation of standards: GJB33 A-97 3. Use for Low-speed switch, power amplify,power adjustm
3dd7d.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 3DD7DDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.2V(Max) @I = 3.75ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier, low speed switching andregulated power supply applications.AB
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050