3DG100 Todos los transistores

 

3DG100 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG100

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO92 SOT23 TO18

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3DG100 datasheet

 ..1. Size:127K  china
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3DG100

3DG100 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.03 A

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3DG100

2SC1009A(3DG1009A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose FM/AM,RF amplifier, mixer, oscillator. Features Low C ,high f . ob T /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 30 V CEO

 9.1. Size:127K  china
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3DG100

3DG103 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 15 25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

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3DG100

3DG102 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

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History: 3DG101 | 3DF05 | DSS4240V | 3DG1009A | 3DF1

 

 

 

 

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