3DG100 - описание и поиск аналогов

 

3DG100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG100

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

 Аналоги (замена) для 3DG100

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG100 даташит

 ..1. Size:127K  china
 3dg100.pdf pdf_icon

3DG100

3DG100 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.03 A

 0.1. Size:335K  lzg
 3dg1009a.pdf pdf_icon

3DG100

2SC1009A(3DG1009A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose FM/AM,RF amplifier, mixer, oscillator. Features Low C ,high f . ob T /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 30 V CEO

 9.1. Size:127K  china
 3dg103.pdf pdf_icon

3DG100

3DG103 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 15 25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.2. Size:127K  china
 3dg102.pdf pdf_icon

3DG100

3DG102 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 3DD8E, 3DD9, 3DD99, 3DD9D, 3DD9E, 3DF05, 3DF1, 3DF5, TIP31, 3DG1009A, 3DG101, 3DG102, 3DG103, 3DG1047, 3DG110, 3DG111, 3DG112

 

 

 

 

↑ Back to Top
.