3DG1009A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG1009A
Código: HA3_HA4
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.8 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG1009A
3DG1009A Datasheet (PDF)
3dg1009a.pdf
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2SC1009A(3DG1009A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: FM/AM,RF amplifier, mixer, oscillator. Features: Low C ,high f . ob T/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 30 V CEO
3dg100.pdf
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3DG100 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 30 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.03 A
3dg103.pdf
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3DG103 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 40 20 40 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 25 15 25 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A
3dg102.pdf
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3DG102 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A
3dg101.pdf
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3DG101 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 30 40 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.03 A ICEO VCE=10V 0.05 A IEBO VEB=1.5V 0.01 A
3dg1047.pdf
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2SC1047(3DG1047) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose: Optimum for RF amplification of FM/AM radios. Features: High transition frequency f . T/Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 3 V
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
![3DG1009A](https://alltransistors.com/images/us.png)
![3DG1009A](https://alltransistors.com/images/es.png)
![3DG1009A](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS