3DG122 Todos los transistores

 

3DG122 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG122

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 4 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 500 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO18

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3DG122 datasheet

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3DG122

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3DG122

3DG12 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 100 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 1.0 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A

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3DG122

3DG120 NPN A B C D PCM 500 mW ICM 150 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.05 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.05 A

 9.3. Size:120K  china
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3DG122

Otros transistores... 3DG114B , 3DG1162 , 3DG117B , 3DG12 , 3DG120 , 3DG121 , 3DG1213 , 3DG1213A , D209L , 3DG123S , 3DG130 , 3DG1317 , 3DG1318 , 3DG140 , 3DG1417 , 3DG142 , 3DG1473 .

 

 

 


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