3DG130 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG130
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.7 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 25
Encapsulados: TO18
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3DG130 datasheet
3dg1317.pdf
2SC1317(3DG1317) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Audio frequency power amplifier and driver. V , 2SA719(3CG719) /Features Low V ,complementary CE(sat) CE(sat) pair with 2SA719(3CG719). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating U
3dg1318.pdf
2SC1318(3DG1318) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier and driver. V , 2SA720(3CG720) /Features Low V ,complementary CE(sat) CE(sat) pair with 2SA720(3CG720). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Ratin
Otros transistores... 3DG117B , 3DG12 , 3DG120 , 3DG121 , 3DG1213 , 3DG1213A , 3DG122 , 3DG123S , 2222A , 3DG1317 , 3DG1318 , 3DG140 , 3DG1417 , 3DG142 , 3DG1473 , 3DG1473A , 3DG150 .
History: BC847AL | ESM737 | 3DG121 | CTP1733 | 3DG1417
History: BC847AL | ESM737 | 3DG121 | CTP1733 | 3DG1417
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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