3DG130 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG130  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG130

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG130 даташит

 ..1. Size:121K  china
 3dg130.pdf pdf_icon

3DG130

 9.1. Size:197K  foshan
 3dg1317.pdf pdf_icon

3DG130

2SC1317(3DG1317) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose Audio frequency power amplifier and driver. V , 2SA719(3CG719) /Features Low V ,complementary CE(sat) CE(sat) pair with 2SA719(3CG719). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating U

 9.2. Size:268K  lzg
 3dg1318.pdf pdf_icon

3DG130

2SC1318(3DG1318) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Purpose Audio frequency power amplifier and driver. V , 2SA720(3CG720) /Features Low V ,complementary CE(sat) CE(sat) pair with 2SA720(3CG720). /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Ratin

Другие транзисторы: 3DG117B, 3DG12, 3DG120, 3DG121, 3DG1213, 3DG1213A, 3DG122, 3DG123S, 2N4401, 3DG1317, 3DG1318, 3DG140, 3DG1417, 3DG142, 3DG1473, 3DG1473A, 3DG150