Справочник транзисторов. 3DG130

 

Биполярный транзистор 3DG130 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG130
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO18
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

3DG130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  china
 3dg130.pdf pdf_icon

3DG130

3DG130 NPN A B C D PCM 700 mW ICM 300 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 40 60 40 60 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 30 45 30 45 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 1.0 A IEBO VEB=1.5V 0.5 A

 9.1. Size:197K  foshan
 3dg1317.pdf pdf_icon

3DG130

2SC1317(3DG1317) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR :/Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. : V , 2SA719(3CG719)/Features: Low V ,complementary CE(sat) CE(sat)pair with 2SA719(3CG719). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating U

 9.2. Size:268K  lzg
 3dg1318.pdf pdf_icon

3DG130

2SC1318(3DG1318) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Audio frequency power amplifier and driver. : V , 2SA720(3CG720)/Features: Low V ,complementary CE(sat)CE(sat)pair with 2SA720(3CG720). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Ratin

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SD882SQ-E | DTC115EEB

 

 
Back to Top

 


 
.