3DG1473 Todos los transistores

 

3DG1473 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG1473
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 250 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

3DG1473 Datasheet (PDF)

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3DG1473

2SC1473(3DG1473) 2SC1473A(3DG1473A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier applications. :, f , 2SA1018(3CG1018) TFeatures: High V , high f ,Complementary pair with 2SA1018(3CG1018). CEO T /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symb

 0.1. Size:146K  foshan
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3DG1473

2SC1473(3DG1473) 2SC1473A(3DG1473A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier applications. :, f , 2SA1018(3CG1018) TFeatures: High V , high f ,Complementary pair with 2SA1018(3CG1018). CEO T /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symb

 9.1. Size:127K  china
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3DG1473

3DG142 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 15 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 65 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.2. Size:179K  lzg
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3DG1473

2SC1417(3DG1417) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose: High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 20 V CBO V 15 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 100 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(Ta=25

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History: PBSS5240X | 2SD1043 | 2N5034 | MP2484R | BFR79TO5 | CJL818C

 

 
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