Справочник транзисторов. 3DG1473

 

Биполярный транзистор 3DG1473 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG1473
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 3DG1473

 

 

3DG1473 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:146K  foshan
3dg1473.pdf

3DG1473
3DG1473

2SC1473(3DG1473) 2SC1473A(3DG1473A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier applications. :, f , 2SA1018(3CG1018) TFeatures: High V , high f ,Complementary pair with 2SA1018(3CG1018). CEO T /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symb

 0.1. Size:146K  foshan
3dg1473a.pdf

3DG1473
3DG1473

2SC1473(3DG1473) 2SC1473A(3DG1473A) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General amplifier applications. :, f , 2SA1018(3CG1018) TFeatures: High V , high f ,Complementary pair with 2SA1018(3CG1018). CEO T /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symb

 9.1. Size:127K  china
3dg142.pdf

3DG1473

3DG142 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 15 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 65 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 30 45 60 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=1.5V 0.1 A

 9.2. Size:179K  lzg
3dg1417.pdf

3DG1473
3DG1473

2SC1417(3DG1417) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR /Purpose: High frequency amplifier. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 20 V CBO V 15 V CEO V 3.0 V EBO I 30 mA C P 100 mW C T 150 j T -55150 stg /Electrical characteristics(Ta=25

 9.3. Size:23K  shaanxi
3dg140.pdf

3DG1473

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China 3DG140NPN Silicon High Frequency Low Power Transistor Features: 1. Using epitaxy planar technology structure. High working frequency. Metallic packaging. 2. Small volume, light weight, easy installation. 3. Use for high frequency oscillation, high frequency small signal amplification, low power source a

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top