3DG1740M Todos los transistores

 

3DG1740M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG1740M
   Código: BQH_BRH_BSH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG1740M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  foshan
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3DG1740M

2SC1740M(3DG1740M) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. :, 2SA933M(3CG933M) Features: Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933M(3CG933M). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60 V

 7.1. Size:310K  lzg
 3dg1740s.pdf pdf_icon

3DG1740M

2SC1740S(3DG1740S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: General purpose amplifier. :, 2SA933AS(3CG933AS) Features: Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933AS(3CG933AS). /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 60

 8.1. Size:362K  foshan
 3dg1741am.pdf pdf_icon

3DG1740M

2SC1741AM(3DG1741AM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor . : ,VCE(sat) Features: High I , Low V . C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 0.5 A

 8.2. Size:286K  lzg
 3dg1741s.pdf pdf_icon

3DG1740M

2SC1741S(3DG1741S) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Medium power transistor. :, Features: High I , Low V . C CE(sat)/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0 V EBO I 500 mA C P 200 mW C T

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History: NSVBA114EDXV6T1G | DTA144EUA | TRO300-10 | BD262 | UNR9217J | DTA143TKA | KRC422

 

 
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