Справочник транзисторов. 3DG1740M

 

Биполярный транзистор 3DG1740M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG1740M

Маркировка: BQH_BRH_BSH

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120

Корпус транзистора: SOT23

Аналоги (замена) для 3DG1740M

 

 

3DG1740M Datasheet (PDF)

1.1. 3dg1740m.pdf Size:319K _china

3DG1740M
3DG1740M

2SC1740M(3DG1740M) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般放大。 Purpose: General purpose amplifier. 特点:共基极输出电容小,与 2SA933M(3CG933M)互补。 Features: Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933M(3CG933M). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60 V

3.1. 3dg1740s.pdf Size:310K _china

3DG1740M
3DG1740M

2SC1740S(3DG1740S) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于一般放大。 Purpose: General purpose amplifier. 特点:共基极输出电容小,与 2SA933AS(3CG933AS)互补。 Features: Small base output capacitance, complementary pair with 2SA933AS(3CG933AS). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 60

 4.1. 3dg1741am.pdf Size:362K _china

3DG1740M
3DG1740M

2SC1741AM(3DG1741AM) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 用于中功率放大。 Purpose: Medium power transistor . 特点: 集电极电流大,VCE(sat)饱和压降低。 Features: High I , Low V . C CE(sat) 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 50 V CBO V 50 V CEO V 5.0 V EBO I 0.5 A

4.2. 3dg1741s.pdf Size:286K _china

3DG1740M
3DG1740M

2SC1741S(3DG1741S) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于中功率放大。 Purpose: Medium power transistor. 特点:电流大,饱和压降低。 Features: High I , Low V . C CE(sat) 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 40 V CBO V 32 V CEO V 5.0 V EBO I 500 mA C P 200 mW C T

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top